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2011年度日本封裝技術發展藍圖

2019/06/06 来源:大庆信息港

导读

2011年5月13日,日本电子信息技术产业协会(JEITA)举办了明确2020年之前的封装技术发展方向的《2011年度版日本封装技术发展蓝图

  2011年5月13日,日本电子信息技术产业协会(JEITA)举办了明确2020年之前的封装技术发展方向的《2011年度版日本封装技术发展蓝图》报告会。该发展蓝图每两年修改一次,此次为第7版。

  日本封装技术发展蓝图是日本的封装领域技术代表(约70人)历时两年,以向各公司的问卷调查结果等为基础,经过70多次讨论后制定的。蓝图给出的数值只是封装领域需要的技术水平的 平均值 , 达不到该发展蓝图数值的厂商可能会被淘汰出局 (担任封装技术发展蓝图委员长的日本爱斯佩克公司的高桥邦明)。

  在半導體封裝技術動向中,引人注目的是發展藍圖明確提出了使用TSV(硅貫通孔)的存儲器超寬I/O化技術。以存儲器用封裝的端子數為例,對于通常的PoP,在2010年到2020年期間將保持在240端子。但是,從2014年起,寬I/O型存儲器將問世,發展藍圖將調整為雙系統。當存儲器為寬I/O型時,端子數將增加到2014年的1200端子、2018年的2400端子。對于這種寬I/O型存儲器(DRAM),爾必達存儲器等公司正在考慮投產。

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