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SEI公布2英寸GaN襯底新技術有助提升

2019/06/07 来源:大庆信息港

导读

CS Online报道:日本住友电工(SEI)表示,已开发出2英寸半极性/非极性GaN衬底材料的批量生产技术,该类型材料用作绿光激光器的衬底

  CS Online报道:日本住友电工(SEI)表示,已开发出2英寸半极性/非极性GaN衬底材料的批量生产技术,该类型材料用作绿光激光器的衬底以及白光衬底。

  对于白光LED以及蓝紫光或蓝光半导体激光二极管来说,一般会采用GaN衬底的c面作为生长晶面。然而,由于带正电的镓(Ga)和带负电氮(N)的原子结构交替,c面则表现出很强的极性,因而降低了发光体在绿光区域的效率。

  自2009年開發出綠光半導體激光器之后,SEI一直在研發半極性和非極性GaN襯底(而非極性的c面GaN)的制造技術,它可以提升綠色激光器和白光LED的性能。經過努力開發,制造技術使得極性襯底材料上的極化效應得到有效抑制,從而提升了器件的發光效率。

  SEI表示,一般地,半极性和非极性GaN衬底是沿着c面晶向采用垂直或者对角切割得到的。然而该方法只针对与相对小的晶体(尺寸仅有几个微米的长方形晶体);如此小的尺寸是提升高效LED器件产量的主要障碍。

  为了突破这个瓶颈,SEI引入了HVPE制造技术用于量产2英寸衬底。SEI表示,采用HVPE制造技术生产出的衬底其位错密度的数量级达到105,这与当今广泛使用的c面衬底数值相当。

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